| 型号： | EM6M2T2R | RoHS： | 无铅 / 符合 |
|---|---|---|---|
| 制造商： | Rohm Semiconductor | 描述： | MOSFET N/P-CH 20V 200MA EMT6 |
详细参数 |
数值 |
|---|---|
| 产品分类 | 分离式半导体产品 >> FET - 阵列 |
| EM6M2T2R PDF |  |
| 标准包装 | 8,000 |
| 系列 | - |
| FET 型 | N 和 P 沟道 |
| FET 特点 | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 200mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 1 欧姆 @ 200mA，4V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 1V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | - |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 25pF @ 10V |
| 功率 - 最大 | 150mW |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 供应商设备封装 | EMT6 |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 其它名称 | EM6M2T2R-ND EM6M2T2RTR |